řada: HEXFETMOSFET IRFP4710PBF N-kanálový 72 A 100 V, TO-247AC, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
72 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-247AC
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
14 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
190 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
15.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
110 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Breite
5.3mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
20.3mm
Řada
HEXFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Mexico
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
72 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-247AC
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
14 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
190 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
15.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
110 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Breite
5.3mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
20.3mm
Řada
HEXFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Mexico
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products