Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
16 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
110 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Řada
HEXFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
115 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Materiál tranzistoru
Silicon
Počet prvků na čip
1
€ 1 048,32
€ 0,349 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 1 048,32
€ 0,349 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
16 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
110 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Řada
HEXFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
115 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Materiál tranzistoru
Silicon
Počet prvků na čip
1


