Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
56 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
DPAK
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
13,9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
143 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
54 nC při 10 V
Breite
6.22mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.39mm
Řada
HEXFET
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
56 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
DPAK
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
13,9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
143 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
54 nC při 10 V
Breite
6.22mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.39mm
Řada
HEXFET


