řada: HEXFETMOSFET IRFR4510PBF N-kanálový 56 A 100 V, DPAK, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 784-8950Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRFR4510PBF
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

56 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Gehäusegröße

DPAK

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

13,9 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

143 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Materiál tranzistoru

Si

Maximální pracovní teplota

175 °C

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

54 nC při 10 V

Breite

6.22mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.39mm

Řada

HEXFET

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRFR4510PBF N-kanálový 56 A 100 V, DPAK, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRFR4510PBF N-kanálový 56 A 100 V, DPAK, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

56 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Gehäusegröße

DPAK

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

13,9 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

143 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Materiál tranzistoru

Si

Maximální pracovní teplota

175 °C

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

54 nC při 10 V

Breite

6.22mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.39mm

Řada

HEXFET

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more