řada: IRFR5305PBFMOSFET IRFR5305TRLPBF P-kanálový 31 A 55 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý

Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
31 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
55 V
Řada
IRFR5305PBF
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
65 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
110 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
7.49mm
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
63 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Höhe
2.39mm
€ 1 423,32
€ 0,474 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 1 423,32
€ 0,474 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
31 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
55 V
Řada
IRFR5305PBF
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
65 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
110 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
7.49mm
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
63 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Höhe
2.39mm