Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

řada: HEXFETMOSFET IRFS3307ZTRLPBF N-kanálový 128 A 75 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3

Skladové číslo RS: 130-0997Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRFS3307ZTRLPBF
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

128 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

75 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

5.8 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

230 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Länge

10.67mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

79 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Breite

9.65mm

Höhe

4.83mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.3V

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkon MOSFET 60 až 80 V, Infineon

Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 10,38

€ 2,076 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRFS3307ZTRLPBF N-kanálový 128 A 75 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3
Vyberte typ balenia

€ 10,38

€ 2,076 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRFS3307ZTRLPBF N-kanálový 128 A 75 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cenaBalík
5 - 20€ 2,076€ 10,38
25 - 45€ 1,974€ 9,87
50 - 120€ 1,888€ 9,44
125 - 245€ 1,766€ 8,83
250+€ 1,662€ 8,31

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

128 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

75 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

5.8 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

230 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Länge

10.67mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

79 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Breite

9.65mm

Höhe

4.83mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.3V

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkon MOSFET 60 až 80 V, Infineon

Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more