Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
246 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
75 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
9.65mm
Počet prvků na čip
1
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
271 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Silné MOSFET™, Infineon
Řada StrongIRFET společnosti Infineon je optimalizována pro nízké přenosové moduly (zapnuto) a vysoké nároky na proud. Toto portfolio nabízí vylepšenou bránu, lavinu a dynamickou dv/dt robustnost ideální pro průmyslové nízkofrekvenční aplikace včetně pohonů, nástrojů napájení, měničů a správy baterií, kde je výkon a robustnost zásadní.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 27,90
€ 2,79 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
€ 27,90
€ 2,79 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
10 - 18 | € 2,79 | € 5,58 |
20 - 48 | € 2,51 | € 5,02 |
50 - 98 | € 2,26 | € 4,52 |
100+ | € 2,145 | € 4,29 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
246 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
75 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
9.65mm
Počet prvků na čip
1
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
271 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Silné MOSFET™, Infineon
Řada StrongIRFET společnosti Infineon je optimalizována pro nízké přenosové moduly (zapnuto) a vysoké nároky na proud. Toto portfolio nabízí vylepšenou bránu, lavinu a dynamickou dv/dt robustnost ideální pro průmyslové nízkofrekvenční aplikace včetně pohonů, nástrojů napájení, měničů a správy baterií, kde je výkon a robustnost zásadní.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.