řada: HEXFETMOSFET IRFSL4321PBF N-kanálový 85 A 150 V, TO-262, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
85 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
150 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
TO-262
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
350 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
71 nC při 10 V
Šířka
4.83mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.65mm
Krajina pôvodu
Mexico
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový napájecí MOSFET 150 V až 600 V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
85 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
150 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
TO-262
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
350 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
71 nC při 10 V
Šířka
4.83mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.65mm
Krajina pôvodu
Mexico
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový napájecí MOSFET 150 V až 600 V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products