řada: HEXFETTranzistor MOSFET IRFZ44ESPBF N-kanálový 48 A 60 V, D2PAK, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
48 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DDPAK
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
23 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
110 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
60 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.67mm
Breite
9.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
HEXFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.83mm
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
48 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DDPAK
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
23 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
110 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
60 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.67mm
Breite
9.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
HEXFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.83mm
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products