Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonMaximální stejnosměrný proud kolektoru
240 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
750 W
Gehäusegröße
Super-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
8 → 30kHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16 x 5.5 x 20.8mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Jmenovitá energie
500mJ
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Mexico
Podrobnosti o výrobku
Jeden IGBT s více než 21A, Infineon
Optimalizovaná měření IGBT určená pro aplikace se střední frekvencí s rychlou odezvou a poskytují uživateli nejvyšší dostupnou účinnost. Využití diod Fred optimalizovaných pro zajištění nejlepšího výkonu s IGBT
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.
€ 21,64
€ 21,64 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 21,64
€ 21,64 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 21,64 |
| 10 - 24 | € 20,58 |
| 25 - 49 | € 19,72 |
| 50 - 99 | € 18,41 |
| 100+ | € 17,30 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonMaximální stejnosměrný proud kolektoru
240 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
750 W
Gehäusegröße
Super-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
8 → 30kHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16 x 5.5 x 20.8mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Jmenovitá energie
500mJ
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Mexico
Podrobnosti o výrobku
Jeden IGBT s více než 21A, Infineon
Optimalizovaná měření IGBT určená pro aplikace se střední frekvencí s rychlou odezvou a poskytují uživateli nejvyšší dostupnou účinnost. Využití diod Fred optimalizovaných pro zajištění nejlepšího výkonu s IGBT
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.


