DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

řada: StrongIRFETMOSFET IRL60SL216 N-kanálový 298 A 60 V, I2PAK (TO-262), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 123-6147Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRL60SL216
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

298 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

2,2 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

375 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4.83mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.67mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

170 nC při 4,5 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

11.3mm

Řada

StrongIRFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Podrobnosti o výrobku

StrongIRFET™ s napájením tranzistoru MOSFET úrovně Logi-Level, Infineon

Rozšíření řady Infineon StrongIRFET optimalizované pro napájení +5 V s logickým pohonem. Mají stejné vlastnosti jako stávající řada StrongIRFET, například nízký typ R DS (on) pro vyšší efektivitu a vysokou kapacitu proudového přenosu pro lepší robustnost a provozní spolehlivost.

Optimální R DS (zapnuto) @ V GS = +4,5V.
Vhodné pro systémy napájené z baterie
Aplikace: Motorické ovladače, synchronní systémy usměrňovačů, vypínače střídavého proudu a záložní napájecí přepínače, měniče DC-DC

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

řada: StrongIRFETMOSFET IRL60SL216 N-kanálový 298 A 60 V, I2PAK (TO-262), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

řada: StrongIRFETMOSFET IRL60SL216 N-kanálový 298 A 60 V, I2PAK (TO-262), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

298 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

2,2 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

375 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4.83mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.67mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

170 nC při 4,5 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

11.3mm

Řada

StrongIRFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Podrobnosti o výrobku

StrongIRFET™ s napájením tranzistoru MOSFET úrovně Logi-Level, Infineon

Rozšíření řady Infineon StrongIRFET optimalizované pro napájení +5 V s logickým pohonem. Mají stejné vlastnosti jako stávající řada StrongIRFET, například nízký typ R DS (on) pro vyšší efektivitu a vysokou kapacitu proudového přenosu pro lepší robustnost a provozní spolehlivost.

Optimální R DS (zapnuto) @ V GS = +4,5V.
Vhodné pro systémy napájené z baterie
Aplikace: Motorické ovladače, synchronní systémy usměrňovačů, vypínače střídavého proudu a záložní napájecí přepínače, měniče DC-DC

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more