řada: HEXFETMOSFET IRLML5203TRPBF P-kanálový 3 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 784-0325PZnačka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRLML5203TRPBF
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

3 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

165 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

1.25 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3.04mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

9,5 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

1.4mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Höhe

1.02mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P 30V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať

€ 26,50

€ 0,265 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRLML5203TRPBF P-kanálový 3 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 26,50

€ 0,265 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRLML5203TRPBF P-kanálový 3 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaCievka
100 - 240€ 0,265€ 2,65
250 - 490€ 0,167€ 1,67
500 - 990€ 0,152€ 1,52
1000+€ 0,126€ 1,26

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

3 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

165 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

1.25 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3.04mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

9,5 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

1.4mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Höhe

1.02mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P 30V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať