Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Řada
HEXFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
50 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.95V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Počet prvků na čip
1
Länge
3.04mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 5 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.02mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P 12 V až 20 V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 2,10
€ 0,42 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 2,10
€ 0,42 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,42 | € 2,10 |
50 - 245 | € 0,356 | € 1,78 |
250 - 495 | € 0,274 | € 1,37 |
500 - 1245 | € 0,23 | € 1,15 |
1250+ | € 0,19 | € 0,95 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Řada
HEXFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
50 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.95V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Počet prvků na čip
1
Länge
3.04mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 5 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.02mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P 12 V až 20 V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.