Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
50 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.95V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.02mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P 12 V až 20 V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 237,60
€ 0,079 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 237,60
€ 0,079 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,079 | € 237,60 |
6000 - 6000 | € 0,075 | € 225,72 |
9000+ | € 0,07 | € 211,46 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
50 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.95V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.02mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P 12 V až 20 V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.