DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

řada: HEXFETMOSFET IRLML6401TRPBF P-kanálový 4,3 A 12 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 301-316Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRLML6401TRPBF
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

4.3 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

12 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

50 m Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

0.95V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.4V

Maximální ztrátový výkon

1.3 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

10 nC při 5 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

3.04mm

Breite

1.4mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.02mm

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P 12 V až 20 V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 0,40

Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRLML6401TRPBF P-kanálový 4,3 A 12 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 0,40

Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRLML6401TRPBF P-kanálový 4,3 A 12 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cenaBalík
5 - 45€ 0,40€ 2,00
50 - 245€ 0,34€ 1,70
250 - 495€ 0,26€ 1,30
500 - 1245€ 0,22€ 1,10
1250+€ 0,18€ 0,90

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

4.3 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

12 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

50 m Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

0.95V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.4V

Maximální ztrátový výkon

1.3 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

10 nC při 5 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

3.04mm

Breite

1.4mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.02mm

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P 12 V až 20 V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more