řada: HEXFETMOSFET IRLR3410TRPBF N-kanálový 17 A 100 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
155 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
79 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Breite
6.22mm
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
34 nC při 5 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
2.39mm
Řada
HEXFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,40
Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
2000
€ 0,40
Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
2000
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | € 0,40 | € 800,00 |
| 4000+ | € 0,38 | € 760,00 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
155 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
79 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Breite
6.22mm
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
34 nC při 5 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
2.39mm
Řada
HEXFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products