DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

řada: HEXFETMOSFET IRLTS2242TRPBF P-kanálový 6,9 A 20 V, TSOP-6, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 830-3401Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRLTS2242TRPBF
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

6.9 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

TSOP-6

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

55 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.1V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.4V

Maximální ztrátový výkon

2 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-12 V, +12 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

3mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

12 nC při 4,5 V

Breite

1.75mm

Materiál tranzistoru

Si

Řada

HEXFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.3mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P 12 V až 20 V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 0,31

Each (In a Pack of 30) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRLTS2242TRPBF P-kanálový 6,9 A 20 V, TSOP-6, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 0,31

Each (In a Pack of 30) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRLTS2242TRPBF P-kanálový 6,9 A 20 V, TSOP-6, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cenaBalík
30 - 120€ 0,31€ 9,30
150 - 270€ 0,24€ 7,20
300 - 720€ 0,23€ 6,90
750 - 1470€ 0,21€ 6,30
1500+€ 0,14€ 4,20

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

6.9 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

TSOP-6

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

55 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.1V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.4V

Maximální ztrátový výkon

2 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-12 V, +12 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

3mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

12 nC při 4,5 V

Breite

1.75mm

Materiál tranzistoru

Si

Řada

HEXFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.3mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P 12 V až 20 V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more