řada: HEXFETMOSFET IRLZ34NSTRLPBF N-kanálový 30 A 55 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 915-5112Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRLZ34NSTRLPBFDistrelec Article No.: 30284123
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

30 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

55 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Řada

HEXFET

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

60 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

68 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, +16 V

Breite

11.3mm

Länge

10.67mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

25 nC při 5 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Počet prvků na čip

1

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

4.83mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.3V

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkon MOSFET 55 V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 14,34

€ 0,717 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRLZ34NSTRLPBF N-kanálový 30 A 55 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 14,34

€ 0,717 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRLZ34NSTRLPBF N-kanálový 30 A 55 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaBalík
20 - 80€ 0,717€ 14,34
100 - 180€ 0,681€ 13,62
200 - 480€ 0,652€ 13,05
500 - 980€ 0,624€ 12,47
1000+€ 0,581€ 11,62

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

30 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

55 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Řada

HEXFET

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

60 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

68 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, +16 V

Breite

11.3mm

Länge

10.67mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

25 nC při 5 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Počet prvků na čip

1

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

4.83mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.3V

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkon MOSFET 55 V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more