IGBT SGW30N60FKSA1 N-kanálový 41 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonDauer-Kollektorstrom max.
41 A
Kollektor-Emitter-
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
15.9 x 5.3 x 20.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon Distrikty IGBT
Diskrétní IGBT tranzistory od Infineon nabízejí různé technologie, jako jsou NPT, Trenchstop™ a Fieldstop. Lze je používat v mnoha aplikacích, které mohou vyžadovat pevné nebo měkké přepínání, včetně průmyslových jednotek, UPS, invertorů, domácích spotřebičů a indukčních vaření. Některá zařízení jsou vybavena antiparalelní diodou nebo monoliticky integrovanou diodou.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonDauer-Kollektorstrom max.
41 A
Kollektor-Emitter-
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
15.9 x 5.3 x 20.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon Distrikty IGBT
Diskrétní IGBT tranzistory od Infineon nabízejí různé technologie, jako jsou NPT, Trenchstop™ a Fieldstop. Lze je používat v mnoha aplikacích, které mohou vyžadovat pevné nebo měkké přepínání, včetně průmyslových jednotek, UPS, invertorů, domácích spotřebičů a indukčních vaření. Některá zařízení jsou vybavena antiparalelní diodou nebo monoliticky integrovanou diodou.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products