Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
Si4435DYPbF
Gehäusegröße
SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
35 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
20 V
Breite
4mm
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
40 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1.5mm
Typický výkonový zisk
0
€ 65,90
€ 0,659 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 65,90
€ 0,659 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
100 - 240 | € 0,659 | € 6,59 |
250 - 490 | € 0,631 | € 6,31 |
500 - 990 | € 0,605 | € 6,05 |
1000+ | € 0,562 | € 5,62 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
Si4435DYPbF
Gehäusegröße
SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
35 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
20 V
Breite
4mm
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
40 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1.5mm
Typický výkonový zisk
0