Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
Si4435DYPbF
Gehäusegröße
SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
35 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4mm
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
40 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1.5mm
€ 1 196,45
€ 0,299 Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
4000
€ 1 196,45
€ 0,299 Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
4000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
Si4435DYPbF
Gehäusegröße
SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
35 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4mm
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
40 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1.5mm


