Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8,8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Řada
SIPMOS®
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
42 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
6.5mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Automobilový standard
AEC-Q101
Höhe
2.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.55V
Podrobnosti o výrobku
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET
Infineon SIPMOS ® malé signální tranzistory MOSFET mají několik funkcí, mezi které patří režim vylepšení, nepřetržitý proud s nízkým výkonem až -80A a široký rozsah provozních teplot. Tranzistor SIPMOS Power tranzistor lze používat v různých aplikacích, včetně telekomunikací, eMobility, notebooků, zařízení DC/DC a také v automobilovém průmyslu.
· Kvalifikováno AEC Q101 (Viz katalogový list)
· Bezolovnaté pokovení, vyhovuje směrnici RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 52,90
€ 0,529 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 52,90
€ 0,529 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,529 | € 5,29 |
| 250 - 490 | € 0,508 | € 5,08 |
| 500 - 990 | € 0,484 | € 4,84 |
| 1000+ | € 0,451 | € 4,51 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8,8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Řada
SIPMOS®
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
42 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
6.5mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Automobilový standard
AEC-Q101
Höhe
2.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.55V
Podrobnosti o výrobku
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET
Infineon SIPMOS ® malé signální tranzistory MOSFET mají několik funkcí, mezi které patří režim vylepšení, nepřetržitý proud s nízkým výkonem až -80A a široký rozsah provozních teplot. Tranzistor SIPMOS Power tranzistor lze používat v různých aplikacích, včetně telekomunikací, eMobility, notebooků, zařízení DC/DC a také v automobilovém průmyslu.
· Kvalifikováno AEC Q101 (Viz katalogový list)
· Bezolovnaté pokovení, vyhovuje směrnici RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.


