standard: AEC-Q101, řada: SIPMOS®MOSFET SPD08P06PGBTMA1 P-kanálový 8,8 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3

Skladové číslo RS: 462-3247PZnačka: InfineonČíslo dielu výrobcu: SPD08P06PGBTMA1
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

8,8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Řada

SIPMOS®

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

300 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.1V

Maximální ztrátový výkon

42 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Länge

6.5mm

Betriebstemperatur max.

175 °C

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

10 nC při 10 V

Breite

6.22mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Automobilový standard

AEC-Q101

Höhe

2.3mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.55V

Podrobnosti o výrobku

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET

Infineon SIPMOS ® malé signální tranzistory MOSFET mají několik funkcí, mezi které patří režim vylepšení, nepřetržitý proud s nízkým výkonem až -80A a široký rozsah provozních teplot. Tranzistor SIPMOS Power tranzistor lze používat v různých aplikacích, včetně telekomunikací, eMobility, notebooků, zařízení DC/DC a také v automobilovém průmyslu.

· Kvalifikováno AEC Q101 (Viz katalogový list)
· Bezolovnaté pokovení, vyhovuje směrnici RoHS

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 52,90

€ 0,529 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

standard: AEC-Q101, řada: SIPMOS®MOSFET SPD08P06PGBTMA1 P-kanálový 8,8 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3
Vyberte typ balenia

€ 52,90

€ 0,529 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

standard: AEC-Q101, řada: SIPMOS®MOSFET SPD08P06PGBTMA1 P-kanálový 8,8 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaCievka
100 - 240€ 0,529€ 5,29
250 - 490€ 0,508€ 5,08
500 - 990€ 0,484€ 4,84
1000+€ 0,451€ 4,51

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

8,8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Řada

SIPMOS®

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

300 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.1V

Maximální ztrátový výkon

42 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Länge

6.5mm

Betriebstemperatur max.

175 °C

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

10 nC při 10 V

Breite

6.22mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Automobilový standard

AEC-Q101

Höhe

2.3mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.55V

Podrobnosti o výrobku

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET

Infineon SIPMOS ® malé signální tranzistory MOSFET mají několik funkcí, mezi které patří režim vylepšení, nepřetržitý proud s nízkým výkonem až -80A a široký rozsah provozních teplot. Tranzistor SIPMOS Power tranzistor lze používat v různých aplikacích, včetně telekomunikací, eMobility, notebooků, zařízení DC/DC a také v automobilovém průmyslu.

· Kvalifikováno AEC Q101 (Viz katalogový list)
· Bezolovnaté pokovení, vyhovuje směrnici RoHS

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more