Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
SIPMOS®
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
270 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
128 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.36mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
47 nC při 10 V
Breite
4.57mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
15.95mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET
Infineon SIPMOS ® malé signální tranzistory MOSFET mají několik funkcí, mezi které patří režim vylepšení, nepřetržitý proud s nízkým výkonem až -80A a široký rozsah provozních teplot. Tranzistor SIPMOS Power tranzistor lze používat v různých aplikacích, včetně telekomunikací, eMobility, notebooků, zařízení DC/DC a také v automobilovém průmyslu.
· Kvalifikováno AEC Q101 (Viz katalogový list)
· Bezolovnaté pokovení, vyhovuje směrnici RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 88,70
€ 1,774 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
50
€ 88,70
€ 1,774 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 120 | € 1,774 | € 8,87 |
125 - 245 | € 1,656 | € 8,28 |
250 - 495 | € 1,538 | € 7,69 |
500+ | € 1,44 | € 7,20 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
SIPMOS®
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
270 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
128 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.36mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
47 nC při 10 V
Breite
4.57mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
15.95mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET
Infineon SIPMOS ® malé signální tranzistory MOSFET mají několik funkcí, mezi které patří režim vylepšení, nepřetržitý proud s nízkým výkonem až -80A a široký rozsah provozních teplot. Tranzistor SIPMOS Power tranzistor lze používat v různých aplikacích, včetně telekomunikací, eMobility, notebooků, zařízení DC/DC a také v automobilovém průmyslu.
· Kvalifikováno AEC Q101 (Viz katalogový list)
· Bezolovnaté pokovení, vyhovuje směrnici RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.