Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
80 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
SIPMOS
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
23 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
340 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.57mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.36mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
115 nC při 10 V
Höhe
15.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.6V
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET
Infineon SIPMOS ® malé signální tranzistory MOSFET mají několik funkcí, mezi které patří režim vylepšení, nepřetržitý proud s nízkým výkonem až -80A a široký rozsah provozních teplot. Tranzistor SIPMOS Power tranzistor lze používat v různých aplikacích, včetně telekomunikací, eMobility, notebooků, zařízení DC/DC a také v automobilovém průmyslu.
· Kvalifikováno AEC Q101 (Viz katalogový list)
· Bezolovnaté pokovení, vyhovuje směrnici RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 3,02
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 3,02
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 50 | € 3,02 | € 151,00 |
100 - 200 | € 2,48 | € 124,00 |
250+ | € 2,33 | € 116,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
80 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
SIPMOS
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
23 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
340 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.57mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.36mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
115 nC při 10 V
Höhe
15.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.6V
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET
Infineon SIPMOS ® malé signální tranzistory MOSFET mají několik funkcí, mezi které patří režim vylepšení, nepřetržitý proud s nízkým výkonem až -80A a široký rozsah provozních teplot. Tranzistor SIPMOS Power tranzistor lze používat v různých aplikacích, včetně telekomunikací, eMobility, notebooků, zařízení DC/DC a také v automobilovém průmyslu.
· Kvalifikováno AEC Q101 (Viz katalogový list)
· Bezolovnaté pokovení, vyhovuje směrnici RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.