Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
CoolMOS S5
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
190 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
208 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
79 nC při 10 V
Breite
5.3mm
Höhe
20.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™S5 Napájecí MOSFET řady
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 7,50
€ 7,50 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 7,50
€ 7,50 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 9 | € 7,50 |
10 - 24 | € 7,13 |
25 - 49 | € 6,98 |
50 - 99 | € 6,52 |
100+ | € 6,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
CoolMOS S5
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
190 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
208 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
79 nC při 10 V
Breite
5.3mm
Höhe
20.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™S5 Napájecí MOSFET řady
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.