řada: CoolMOS™ C3MOSFET SPW47N60C3FKSA1 N-kanálový 47 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
47 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
CoolMOS™ C3
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
70 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
415 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
15.9mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
252 nC při 10 V
Breite
5.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
20.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™C3 Napájecí MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 13,97
€ 13,97 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 13,97
€ 13,97 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 4 | € 13,97 |
5 - 9 | € 13,27 |
10 - 24 | € 12,71 |
25 - 49 | € 12,15 |
50+ | € 11,31 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
47 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
CoolMOS™ C3
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
70 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
415 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
15.9mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
252 nC při 10 V
Breite
5.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
20.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™C3 Napájecí MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.