Technické dokumenty
Špecifikácie
Typ kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
280 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
330 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
160 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.67mm
Breite
4.83mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
HEXFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.02mm
P.O.A.
1
P.O.A.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Typ kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
280 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
330 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
160 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.67mm
Breite
4.83mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
HEXFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.02mm