Technické dokumenty
Špecifikácie
Typ kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
110 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
StrongIRFET
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5,1 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
99 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
88 nC při 10 V
Breite
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
16.51mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Silné MOSFET™, Infineon
Řada StrongIRFET společnosti Infineon je optimalizována pro nízké přenosové moduly (zapnuto) a vysoké nároky na proud. Toto portfolio nabízí vylepšenou bránu, lavinu a dynamickou dv/dt robustnost ideální pro průmyslové nízkofrekvenční aplikace včetně pohonů, nástrojů napájení, měničů a správy baterií, kde je výkon a robustnost zásadní.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Štandardný
5
P.O.A.
Štandardný
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Typ kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
110 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
StrongIRFET
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5,1 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
99 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
88 nC při 10 V
Breite
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
16.51mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Silné MOSFET™, Infineon
Řada StrongIRFET společnosti Infineon je optimalizována pro nízké přenosové moduly (zapnuto) a vysoké nároky na proud. Toto portfolio nabízí vylepšenou bránu, lavinu a dynamickou dv/dt robustnost ideální pro průmyslové nízkofrekvenční aplikace včetně pohonů, nástrojů napájení, měničů a správy baterií, kde je výkon a robustnost zásadní.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.