Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ISSIVelikost paměti
256kbit
Organizace
32k x 8 bitů
Počet slov
32K
Počet bitů na slovo
8bit
Maximální čas náhodného přístupu
12ns
Šířka adresové sběrnice
15bit
Nízký výkon
Yes
Typ časování
Asynchronous
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOJ, SOJ
Pinanzahl
28
Abmessungen
18.54 x 7.75 x 2.67mm
Höhe
2.67mm
Maximální provozní napájecí napětí
5.5 V
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Maximální pracovní teplota
85 °C
Länge
18.54mm
Breite
7.75mm
Minimální provozní napájecí napětí
4.5 V
Podrobnosti o výrobku
Statická RAM, ISSI
Produkty ISSI Static RAM využívají technologii CMOS s vysokým výkonem. K dispozici je celá řada statických pamětí RAM, které zahrnují 5V vysokoúčinnou asynchronní paměť SRAM, vysokoúčinnou asynchronní paměť SRAM s nízkým výkonem, asynchronní paměť SRAM s nízkým výkonem 5 V, statickou paměť CMOS s nízkým výkonem a asynchronní moduly SRAM PowerSaver TM s nízkým výkonem. Zařízení ISSI SRAM jsou dodávána v různých napětích, velikostech paměti a různých organizacích. Jsou vhodné pro aplikace, jako je paměť cache procesoru, vestavěné procesory, pevný disk a přepínače do průmyslové elektroniky.
Napájecí zdroj: 1,8 V/3,3 V/5 V
Dostupné balíčky: BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP
K dispozici je konfigurační volba: X8 a x16
Funkce ECC je dostupná pro vysokorychlostní asynchronní moduly SRAM
SRAM (Static Random Access Memory)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
4
P.O.A.
4
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ISSIVelikost paměti
256kbit
Organizace
32k x 8 bitů
Počet slov
32K
Počet bitů na slovo
8bit
Maximální čas náhodného přístupu
12ns
Šířka adresové sběrnice
15bit
Nízký výkon
Yes
Typ časování
Asynchronous
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOJ, SOJ
Pinanzahl
28
Abmessungen
18.54 x 7.75 x 2.67mm
Höhe
2.67mm
Maximální provozní napájecí napětí
5.5 V
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Maximální pracovní teplota
85 °C
Länge
18.54mm
Breite
7.75mm
Minimální provozní napájecí napětí
4.5 V
Podrobnosti o výrobku
Statická RAM, ISSI
Produkty ISSI Static RAM využívají technologii CMOS s vysokým výkonem. K dispozici je celá řada statických pamětí RAM, které zahrnují 5V vysokoúčinnou asynchronní paměť SRAM, vysokoúčinnou asynchronní paměť SRAM s nízkým výkonem, asynchronní paměť SRAM s nízkým výkonem 5 V, statickou paměť CMOS s nízkým výkonem a asynchronní moduly SRAM PowerSaver TM s nízkým výkonem. Zařízení ISSI SRAM jsou dodávána v různých napětích, velikostech paměti a různých organizacích. Jsou vhodné pro aplikace, jako je paměť cache procesoru, vestavěné procesory, pevný disk a přepínače do průmyslové elektroniky.
Napájecí zdroj: 1,8 V/3,3 V/5 V
Dostupné balíčky: BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP
K dispozici je konfigurační volba: X8 a x16
Funkce ECC je dostupná pro vysokorychlostní asynchronní moduly SRAM