Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ISSIVelikost paměti
4Mbit
Organizace
512k x 8 bitů
Počet slov
512K
Počet bitů na slovo
8bit
Maximální čas náhodného přístupu
10ns
Šířka adresové sběrnice
19bit
Nízký výkon
Yes
Typ časování
Asynchronous
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
TSOP-1
Pinanzahl
44
Abmessungen
18.52 x 10.29 x 1.05mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.63 V
Höhe
1.05mm
Minimální provozní napájecí napětí
3,135 V
Breite
10.29mm
Betriebstemperatur max.
85 °C
Länge
18.52mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Podrobnosti o výrobku
Statická RAM, ISSI
Produkty ISSI Static RAM využívají technologii CMOS s vysokým výkonem. K dispozici je celá řada statických pamětí RAM, které zahrnují 5V vysokoúčinnou asynchronní paměť SRAM, vysokoúčinnou asynchronní paměť SRAM s nízkým výkonem, asynchronní paměť SRAM s nízkým výkonem 5 V, statickou paměť CMOS s nízkým výkonem a asynchronní moduly SRAM PowerSaver TM s nízkým výkonem. Zařízení ISSI SRAM jsou dodávána v různých napětích, velikostech paměti a různých organizacích. Jsou vhodné pro aplikace, jako je paměť cache procesoru, vestavěné procesory, pevný disk a přepínače do průmyslové elektroniky.
Napájecí zdroj: 1,8 V/3,3 V/5 V
Dostupné balíčky: BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP
K dispozici je konfigurační volba: X8 a x16
Funkce ECC je dostupná pro vysokorychlostní asynchronní moduly SRAM
SRAM (Static Random Access Memory)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 3,94
Each (Supplied in a Tray) (bez DPH)
1
€ 3,94
Each (Supplied in a Tray) (bez DPH)
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ISSIVelikost paměti
4Mbit
Organizace
512k x 8 bitů
Počet slov
512K
Počet bitů na slovo
8bit
Maximální čas náhodného přístupu
10ns
Šířka adresové sběrnice
19bit
Nízký výkon
Yes
Typ časování
Asynchronous
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
TSOP-1
Pinanzahl
44
Abmessungen
18.52 x 10.29 x 1.05mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.63 V
Höhe
1.05mm
Minimální provozní napájecí napětí
3,135 V
Breite
10.29mm
Betriebstemperatur max.
85 °C
Länge
18.52mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Podrobnosti o výrobku
Statická RAM, ISSI
Produkty ISSI Static RAM využívají technologii CMOS s vysokým výkonem. K dispozici je celá řada statických pamětí RAM, které zahrnují 5V vysokoúčinnou asynchronní paměť SRAM, vysokoúčinnou asynchronní paměť SRAM s nízkým výkonem, asynchronní paměť SRAM s nízkým výkonem 5 V, statickou paměť CMOS s nízkým výkonem a asynchronní moduly SRAM PowerSaver TM s nízkým výkonem. Zařízení ISSI SRAM jsou dodávána v různých napětích, velikostech paměti a různých organizacích. Jsou vhodné pro aplikace, jako je paměť cache procesoru, vestavěné procesory, pevný disk a přepínače do průmyslové elektroniky.
Napájecí zdroj: 1,8 V/3,3 V/5 V
Dostupné balíčky: BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP
K dispozici je konfigurační volba: X8 a x16
Funkce ECC je dostupná pro vysokorychlostní asynchronní moduly SRAM