Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ISSIVelikost paměti
4Mbit
Organizace
256k x 16 bitů
Počet slov
256K
Počet bitů na slovo
16bit
Maximální čas náhodného přístupu
55ns
Šířka adresové sběrnice
18bit
Nízký výkon
Yes
Typ časování
Asynchronous
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
TSOP-1
Pinanzahl
44
Abmessungen
18.52 x 10.29 x 1.05mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.6 V
Höhe
1.05mm
Maximální pracovní teplota
+85 °C
Länge
18.52mm
Breite
10.29mm
Minimální provozní napájecí napětí
2.5 V
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Podrobnosti o výrobku
Statická RAM, ISSI
Produkty ISSI Static RAM využívají technologii CMOS s vysokým výkonem. K dispozici je celá řada statických pamětí RAM, které zahrnují 5V vysokoúčinnou asynchronní paměť SRAM, vysokoúčinnou asynchronní paměť SRAM s nízkým výkonem, asynchronní paměť SRAM s nízkým výkonem 5 V, statickou paměť CMOS s nízkým výkonem a asynchronní moduly SRAM PowerSaver TM s nízkým výkonem. Zařízení ISSI SRAM jsou dodávána v různých napětích, velikostech paměti a různých organizacích. Jsou vhodné pro aplikace, jako je paměť cache procesoru, vestavěné procesory, pevný disk a přepínače do průmyslové elektroniky.
Napájecí zdroj: 1,8 V/3,3 V/5 V
Dostupné balíčky: BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP
K dispozici je konfigurační volba: X8 a x16
Funkce ECC je dostupná pro vysokorychlostní asynchronní moduly SRAM
SRAM (Static Random Access Memory)
P.O.A.
Výrobné balenie (Zásobník)
1
P.O.A.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Zásobník)
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ISSIVelikost paměti
4Mbit
Organizace
256k x 16 bitů
Počet slov
256K
Počet bitů na slovo
16bit
Maximální čas náhodného přístupu
55ns
Šířka adresové sběrnice
18bit
Nízký výkon
Yes
Typ časování
Asynchronous
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
TSOP-1
Pinanzahl
44
Abmessungen
18.52 x 10.29 x 1.05mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.6 V
Höhe
1.05mm
Maximální pracovní teplota
+85 °C
Länge
18.52mm
Breite
10.29mm
Minimální provozní napájecí napětí
2.5 V
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Podrobnosti o výrobku
Statická RAM, ISSI
Produkty ISSI Static RAM využívají technologii CMOS s vysokým výkonem. K dispozici je celá řada statických pamětí RAM, které zahrnují 5V vysokoúčinnou asynchronní paměť SRAM, vysokoúčinnou asynchronní paměť SRAM s nízkým výkonem, asynchronní paměť SRAM s nízkým výkonem 5 V, statickou paměť CMOS s nízkým výkonem a asynchronní moduly SRAM PowerSaver TM s nízkým výkonem. Zařízení ISSI SRAM jsou dodávána v různých napětích, velikostech paměti a různých organizacích. Jsou vhodné pro aplikace, jako je paměť cache procesoru, vestavěné procesory, pevný disk a přepínače do průmyslové elektroniky.
Napájecí zdroj: 1,8 V/3,3 V/5 V
Dostupné balíčky: BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP
K dispozici je konfigurační volba: X8 a x16
Funkce ECC je dostupná pro vysokorychlostní asynchronní moduly SRAM


