DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

IGBT IXA33IF1200HB N-kanálový 58 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 146-1764Značka: IXYSČíslo dielu výrobcu: IXA33IF1200HB
brand-logo
View all in IGBTs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Dauer-Kollektorstrom max.

58 A

Kollektor-Emitter-

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

250 W

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

16.24 x 5.3 x 21.45mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Betriebstemperatur max.

+125 °C

Krajina pôvodu

United States

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, řada IXYS

Řada xpt™ samostatných IGBT od IXYS je vybavena technologií tenkých oplatků Extrémně lehké Punch-Through, která snižuje tepelnou odolnost a snižuje energetické ztráty. Tato zařízení nabízejí rychlé přepínání při nízkém proudovém zatížení a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních a chráněných balících.

Vysoká hustota výkonu a nízká VCE(sat)
Bezpečnostní oblasti čtvercového zpětného chodu (RBSOA) až do jmenovitého havarijního napětí
Možnost zkratu pro 10USEC
Teplotní koeficient kladného napětí na stavu
Volitelné diody Sonic-FRD™ nebo HiPerFRED™ nabité spol
Mezinárodní standardní a proprietární vysokonapěťové balíky

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

IGBT IXA33IF1200HB N-kanálový 58 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý

P.O.A.

IGBT IXA33IF1200HB N-kanálový 58 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Dauer-Kollektorstrom max.

58 A

Kollektor-Emitter-

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

250 W

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

16.24 x 5.3 x 21.45mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Betriebstemperatur max.

+125 °C

Krajina pôvodu

United States

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, řada IXYS

Řada xpt™ samostatných IGBT od IXYS je vybavena technologií tenkých oplatků Extrémně lehké Punch-Through, která snižuje tepelnou odolnost a snižuje energetické ztráty. Tato zařízení nabízejí rychlé přepínání při nízkém proudovém zatížení a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních a chráněných balících.

Vysoká hustota výkonu a nízká VCE(sat)
Bezpečnostní oblasti čtvercového zpětného chodu (RBSOA) až do jmenovitého havarijního napětí
Možnost zkratu pro 10USEC
Teplotní koeficient kladného napětí na stavu
Volitelné diody Sonic-FRD™ nebo HiPerFRED™ nabité spol
Mezinárodní standardní a proprietární vysokonapěťové balíky

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more