Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSDauer-Kollektorstrom max.
88 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
290 W
Gehäusegröße
SOT-227B
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
4
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
38.23 x 25.25 x 9.6mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Krajina pôvodu
United States
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, řada IXYS
Řada xpt™ samostatných IGBT od IXYS je vybavena technologií tenkých oplatků Extrémně lehké Punch-Through, která snižuje tepelnou odolnost a snižuje energetické ztráty. Tato zařízení nabízejí rychlé přepínání při nízkém proudovém zatížení a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních a chráněných balících.
Vysoká hustota výkonu a nízká VCE(sat)
Bezpečnostní oblasti čtvercového zpětného chodu (RBSOA) až do jmenovitého havarijního napětí
Možnost zkratu pro 10USEC
Teplotní koeficient kladného napětí na stavu
Volitelné diody Sonic-FRD™ nebo HiPerFRED™ nabité spol
Mezinárodní standardní a proprietární vysokonapěťové balíky
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 27,07
Each (In a Tube of 10) (bez DPH)
10
€ 27,07
Each (In a Tube of 10) (bez DPH)
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSDauer-Kollektorstrom max.
88 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
290 W
Gehäusegröße
SOT-227B
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
4
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
38.23 x 25.25 x 9.6mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Krajina pôvodu
United States
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, řada IXYS
Řada xpt™ samostatných IGBT od IXYS je vybavena technologií tenkých oplatků Extrémně lehké Punch-Through, která snižuje tepelnou odolnost a snižuje energetické ztráty. Tato zařízení nabízejí rychlé přepínání při nízkém proudovém zatížení a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních a chráněných balících.
Vysoká hustota výkonu a nízká VCE(sat)
Bezpečnostní oblasti čtvercového zpětného chodu (RBSOA) až do jmenovitého havarijního napětí
Možnost zkratu pro 10USEC
Teplotní koeficient kladného napětí na stavu
Volitelné diody Sonic-FRD™ nebo HiPerFRED™ nabité spol
Mezinárodní standardní a proprietární vysokonapěťové balíky
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.