Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
850 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
2 + Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7 nC při 10 V
Breite
10.92mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.41mm
Höhe
4.7mm
Řada
HiperFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
850 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
2 + Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7 nC při 10 V
Breite
10.92mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.41mm
Höhe
4.7mm
Řada
HiperFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V