řada: HiperFETMOSFET IXFA4N85X N-kanálový 3,5 A 850 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 2 + Tab Jednoduchý

Name: řada: HiperFETMOSFET IXFA4N85X N-kanálový 3,5 A 850 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 2 + Tab Jednoduchý
Brand: IXYS
SKU: 1464407

Skladové číslo RS: 146-4407Značka: IXYSČíslo dielu výrobcu: IXFA4N85X

View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Typ kanálu

Maximální stejnosměrný odběrový proud

3.5 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

850 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

2 + Tab

Maximální odpor kolektor/zdroj

2,5 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

5.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

3.5V

Maximální ztrátový výkon

150 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

Maximální pracovní teplota

150 °C

Breite

10.92mm

Länge

10.41mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

7 nC při 10 V

Řada

HiperFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.4V

Höhe

4.7mm

PRICED TO CLEAR

Yes

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

řada: HiperFETMOSFET IXFA4N85X N-kanálový 3,5 A 850 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 2 + Tab Jednoduchý

P.O.A.

řada: HiperFETMOSFET IXFA4N85X N-kanálový 3,5 A 850 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 2 + Tab Jednoduchý

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
View and contribute website content and forums
Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products

Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Typ kanálu

Maximální stejnosměrný odběrový proud

3.5 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

850 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

2 + Tab

Maximální odpor kolektor/zdroj

2,5 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

5.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

3.5V

Maximální ztrátový výkon

150 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

Maximální pracovní teplota

150 °C

Breite

10.92mm

Länge

10.41mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

7 nC při 10 V

Řada

HiperFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.4V

Höhe

4.7mm

PRICED TO CLEAR

Yes