řada: HiperFET, Polar3MOSFET IXFB110N60P3 N-kanálový 110 A 600 V, PLUS264, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
110 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
HiperFET, Polar3
Gehäusegröße
PLUS 264
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
56 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
1.89 kW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.31mm
Länge
20.29mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
245 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
26.59mm
Krajina pôvodu
United States
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady Polar3™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET řady IXYS Polar3™ s nadřízeným výstupem (N-channel) a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 491,70
€ 19,668 Each (In a Tube of 25) (bez DPH)
25
€ 491,70
€ 19,668 Each (In a Tube of 25) (bez DPH)
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
110 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
HiperFET, Polar3
Gehäusegröße
PLUS 264
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
56 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
1.89 kW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.31mm
Länge
20.29mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
245 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
26.59mm
Krajina pôvodu
United States
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady Polar3™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET řady IXYS Polar3™ s nadřízeným výstupem (N-channel) a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products