Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
150 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
PLUS 264
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
17 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
1.56 kW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Breite
5.31mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
20.26mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
355 nC při 10 v nC
Höhe
26.59mm
Řada
HiperFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
150 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
PLUS 264
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
17 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
1.56 kW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Breite
5.31mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
20.26mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
355 nC při 10 v nC
Höhe
26.59mm
Řada
HiperFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V