Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
38 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1000 V
Gehäusegröße
PLUS 264
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
250 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5.5V
Maximální ztrátový výkon
890 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
20.29mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
250 nC při 10 V
Breite
5.31mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
26.59mm
Řada
HiperFET, Q-Class
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
38 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1000 V
Gehäusegröße
PLUS 264
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
250 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5.5V
Maximální ztrátový výkon
890 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
20.29mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
250 nC při 10 V
Breite
5.31mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
26.59mm
Řada
HiperFET, Q-Class
Betriebstemperatur min.
-55 °C