řada: HiperFET, Q-ClassMOSFET IXFH15N100Q3 N-kanálový 15 A 1000 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
15 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1000 V
Řada
HiperFET, Q-Class
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.05 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
6.5V
Maximální ztrátový výkon
690 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
5.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
16.26mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
64 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
16.26mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
United States
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady Q
IXYS Q3 třídy výkonových tranzistorů MOSFET HiperFET™ jsou vhodné pro použití v režimu silného i rezonančního provozu a nabízejí nízké nabití brány s výjimečnou robustností. Přístroje obsahují rychlou vnitřní diodu a jsou k dispozici v řadě standardních balení, včetně izolovaných typů, s hodnocením až 1100V a 70A. Typické aplikace zahrnují měniče DC-DC, nabíječky baterií, režimy přepínání a rezonanční napájecí zdroje, měniče DC, ovládání teploty a osvětlení.
Rychle zabudovaná usměrňovací dioda
Nízká úroveň RDS(on) a QG (nabíjení brány)
Nízký vnitřní odpor brány
Balení podle průmyslových norem
Nízká indukčnost součástky
Vysoká hustota výkonu
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 403,13
€ 13,438 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 403,13
€ 13,438 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
15 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1000 V
Řada
HiperFET, Q-Class
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.05 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
6.5V
Maximální ztrátový výkon
690 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
5.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
16.26mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
64 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
16.26mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
United States
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady Q
IXYS Q3 třídy výkonových tranzistorů MOSFET HiperFET™ jsou vhodné pro použití v režimu silného i rezonančního provozu a nabízejí nízké nabití brány s výjimečnou robustností. Přístroje obsahují rychlou vnitřní diodu a jsou k dispozici v řadě standardních balení, včetně izolovaných typů, s hodnocením až 1100V a 70A. Typické aplikace zahrnují měniče DC-DC, nabíječky baterií, režimy přepínání a rezonanční napájecí zdroje, měniče DC, ovládání teploty a osvětlení.
Rychle zabudovaná usměrňovací dioda
Nízká úroveň RDS(on) a QG (nabíjení brány)
Nízký vnitřní odpor brány
Balení podle průmyslových norem
Nízká indukčnost součástky
Vysoká hustota výkonu
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products