řada: HiperFET, X2-ClassMOSFET IXFH34N65X2 N-kanálový 34 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
34 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
HiperFET, X2-Class
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.7V
Maximální ztrátový výkon
540 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
56 nC při 10 V
Breite
21.45mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
16.24mm
Höhe
5.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V
Krajina pôvodu
United States
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiPerFET™ řady X2
Řada výkonových tranzistorů MOSFET třídy IXYS X2 HiPerFET nabízí ve srovnání s předchozími generacemi výkonových tranzistorů MOSFET výrazně nižší odpor a náboj hradel, což vede ke snížení ztrát a vyšší provozní efektivitě. Tato robustní zařízení jsou vybavena vylepšenou vysokorychlostní vnitřní diodou, která je vhodná pro použití v režimu pevných přepínačů i v režimu rezonancí. Výkonové tranzistory MOSFET třídy X2 jsou k dispozici v řadě standardních balení, včetně izolovaných typů, s ratingem až 120 A při 650 V. Mezi typické aplikace patří měniče DC-DC, AC a DC motory, spínací a rezonanční napájecí zdroje, měniče DC, solární invertory, řízení teploty a osvětlení.
Velmi nízká úroveň RDS(on) a QG (nabíjení brány)
Rychle zabudovaná usměrňovací dioda
Nízký vnitřní odpor brány
Nízká indukčnost součástky
Balení podle průmyslových norem
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 7,00
Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 7,00
Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
34 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
HiperFET, X2-Class
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.7V
Maximální ztrátový výkon
540 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
56 nC při 10 V
Breite
21.45mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
16.24mm
Höhe
5.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V
Krajina pôvodu
United States
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiPerFET™ řady X2
Řada výkonových tranzistorů MOSFET třídy IXYS X2 HiPerFET nabízí ve srovnání s předchozími generacemi výkonových tranzistorů MOSFET výrazně nižší odpor a náboj hradel, což vede ke snížení ztrát a vyšší provozní efektivitě. Tato robustní zařízení jsou vybavena vylepšenou vysokorychlostní vnitřní diodou, která je vhodná pro použití v režimu pevných přepínačů i v režimu rezonancí. Výkonové tranzistory MOSFET třídy X2 jsou k dispozici v řadě standardních balení, včetně izolovaných typů, s ratingem až 120 A při 650 V. Mezi typické aplikace patří měniče DC-DC, AC a DC motory, spínací a rezonanční napájecí zdroje, měniče DC, solární invertory, řízení teploty a osvětlení.
Velmi nízká úroveň RDS(on) a QG (nabíjení brány)
Rychle zabudovaná usměrňovací dioda
Nízký vnitřní odpor brány
Nízká indukčnost součástky
Balení podle průmyslových norem
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products