řada: HiperFET, PolarMOSFET IXFH88N30P N-kanálový 88 A 300 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 193-559Značka: IXYSČíslo dielu výrobcu: IXFH88N30PDistrelec Article No.: 30253337
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

88 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

300 V

Řada

HiperFET, Polar

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

40 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

5V

Maximální ztrátový výkon

600 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

180 nC při 10 V

Breite

5.3mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

16.26mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

21.46mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™

Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 11,91

€ 11,91 Each (bez DPH)

řada: HiperFET, PolarMOSFET IXFH88N30P N-kanálový 88 A 300 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 1.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 1.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

1

Dostupné v násobkoch 1
1€ 11,91
2€ 23,82
3€ 35,73
4€ 47,64
5€ 59,55
6€ 65,70
7€ 76,65
8€ 87,60
9€ 98,55
10€ 109,50
11€ 120,45
12€ 131,40
13€ 142,35
14€ 153,30
15€ 156,15

€ 11,91

€ 11,91 Each (bez DPH)

řada: HiperFET, PolarMOSFET IXFH88N30P N-kanálový 88 A 300 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 1.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 1.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

1

Dostupné v násobkoch 1
1€ 11,91
2€ 23,82
3€ 35,73
4€ 47,64
5€ 59,55
6€ 65,70
7€ 76,65
8€ 87,60
9€ 98,55
10€ 109,50
11€ 120,45
12€ 131,40
13€ 142,35
14€ 153,30
15€ 156,15

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cena
1 - 5€ 11,91
6 - 14€ 10,95
15+€ 10,41

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

88 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

300 V

Řada

HiperFET, Polar

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

40 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

5V

Maximální ztrátový výkon

600 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

180 nC při 10 V

Breite

5.3mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

16.26mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

21.46mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™

Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more