řada: HiperFET, Q-ClassMOSFET IXFK27N80Q N-kanálový 27 A 800 V, TO-264AA, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
27 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Řada
HiperFET, Q-Class
Gehäusegröße
TO-264AA
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
320 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Maximální ztrátový výkon
500 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.13mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
19.96mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
170 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
26.16mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady Q.
Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel s rychlou intratinkovou diodou (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 706,61
€ 28,264 Each (In a Tube of 25) (bez DPH)
25
€ 706,61
€ 28,264 Each (In a Tube of 25) (bez DPH)
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
27 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Řada
HiperFET, Q-Class
Gehäusegröße
TO-264AA
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
320 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Maximální ztrátový výkon
500 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.13mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
19.96mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
170 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
26.16mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady Q.
Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel s rychlou intratinkovou diodou (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products