řada: HiperFET, PolarMOSFET IXFN102N30P N-kanálový 86 A 300 V, SOT-227, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
86 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
300 V
Gehäusegröße
SOT-227
Řada
HiperFET, Polar
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Počet kolíků
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
33 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
570 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
38.23mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
25.42mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
224 nC při 10 V
Höhe
9.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™
Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 26,59
€ 26,59 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 26,59
€ 26,59 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 1 | € 26,59 |
| 2 - 4 | € 25,27 |
| 5+ | € 23,94 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
86 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
300 V
Gehäusegröße
SOT-227
Řada
HiperFET, Polar
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Počet kolíků
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
33 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
570 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
38.23mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
25.42mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
224 nC při 10 V
Höhe
9.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™
Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products