řada: HiperFETMOSFET IXFN150N65X2 N-kanálový 145 A 650 V, SOT-227, počet kolíků: 4 Jednoduchý

Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
145 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
HiperFET
Gehäusegröße
SOT-227
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Počet kolíků
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
17 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
1.04 kW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
25.07mm
Länge
38.23mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
335 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V
Höhe
9.6mm
€ 48,49
€ 48,49 Each (bez DPH)
1
€ 48,49
€ 48,49 Each (bez DPH)
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 4 | € 48,49 |
5+ | € 43,39 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
145 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
HiperFET
Gehäusegröße
SOT-227
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Počet kolíků
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
17 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
1.04 kW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
25.07mm
Länge
38.23mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
335 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V
Höhe
9.6mm