řada: HiperFET, Polar3MOSFET IXFN210N30P3 N-kanálový 192 A 300 V, SOT-227, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
192 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
300 V
Řada
HiperFET, Polar3
Gehäusegröße
SOT-227
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
14.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
1.5 kW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
25.07mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
38.23mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
268 nC při 10 V
Höhe
9.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady Polar3™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET řady IXYS Polar3™ s nadřízeným výstupem (N-channel) a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 40,517
Each (In a Tube of 10) (bez DPH)
10
€ 40,517
Each (In a Tube of 10) (bez DPH)
10
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
192 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
300 V
Řada
HiperFET, Polar3
Gehäusegröße
SOT-227
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
14.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
1.5 kW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
25.07mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
38.23mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
268 nC při 10 V
Höhe
9.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady Polar3™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET řady IXYS Polar3™ s nadřízeným výstupem (N-channel) a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products