řada: HiperFET, PolarMOSFET IXFN82N60P N-kanálový 72 A 600 V, SOT-227, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
72 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
SOT-227
Řada
HiperFET, Polar
Montage-Typ
Screw Mount
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
75 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
1.04 kW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
38.2mm
Breite
25.07mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
240 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.6mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™
Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 38,35
Each (bez DPH)
1
€ 38,35
Each (bez DPH)
1
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 1 | € 38,35 |
| 2 - 4 | € 37,20 |
| 5+ | € 36,44 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
72 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
SOT-227
Řada
HiperFET, Polar
Montage-Typ
Screw Mount
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
75 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
1.04 kW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
38.2mm
Breite
25.07mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
240 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.6mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™
Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products