řada: X2-ClassMOSFET IXTN102N65X2 N-kanálový 76 A 650 V, SOT-227, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 168-4820Značka: IXYSČíslo dielu výrobcu: IXTN102N65X2
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

76 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

650 V

Řada

X2-Class

Gehäusegröße

SOT-227

Montage-Typ

Upevnění šroubem

Pinanzahl

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

30 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Maximální ztrátový výkon

595 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Počet prvků na čip

1

Breite

25.42mm

Länge

38.23mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

152 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

9.6mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.4V

Krajina pôvodu

United States

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET IXYS řady X2

Řada výkonových MOSFET třídy IXYS X2 nabízí ve srovnání s předchozími generacemi výkonových tranzistorů MOSFET výrazně nižší odpor a náboj hradel, což vede ke snížení ztrát a vyšší provozní efektivitě. Tato robustní zařízení jsou vybavena vnitřní diodou a jsou vhodná pro použití v režimu pevných spínačů i rezonančních režimů. Výkonové tranzistory MOSFET třídy X2 jsou k dispozici v řadě standardních balení, včetně izolovaných typů, s ratingem až 120 A při 650 V. Mezi typické aplikace patří měniče DC-DC, AC a DC motory, spínací a rezonanční napájecí zdroje, měniče DC, solární invertory, řízení teploty a osvětlení.

Velmi nízká úroveň RDS(on) a QG (nabíjení brány)
Vnitřní usměrňovací dioda
Nízký vnitřní odpor brány
Nízká indukčnost součástky
Balení podle průmyslových norem

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 260,10

€ 26,01 Each (In a Tube of 10) (bez DPH)

řada: X2-ClassMOSFET IXTN102N65X2 N-kanálový 76 A 650 V, SOT-227, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si

10

Dostupné v násobkoch 10
10€ 260,10
20€ 520,20
30€ 780,30
40€ 1 040,40
50€ 1 300,50
60€ 1 560,60
70€ 1 820,70
80€ 2 080,80
90€ 2 340,90
100€ 2 601,00
110€ 2 861,10
120€ 3 121,20
130€ 3 381,30
140€ 3 641,40
150€ 3 901,50

€ 260,10

€ 26,01 Each (In a Tube of 10) (bez DPH)

řada: X2-ClassMOSFET IXTN102N65X2 N-kanálový 76 A 650 V, SOT-227, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

10

Dostupné v násobkoch 10
10€ 260,10
20€ 520,20
30€ 780,30
40€ 1 040,40
50€ 1 300,50
60€ 1 560,60
70€ 1 820,70
80€ 2 080,80
90€ 2 340,90
100€ 2 601,00
110€ 2 861,10
120€ 3 121,20
130€ 3 381,30
140€ 3 641,40
150€ 3 901,50

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

76 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

650 V

Řada

X2-Class

Gehäusegröße

SOT-227

Montage-Typ

Upevnění šroubem

Pinanzahl

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

30 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Maximální ztrátový výkon

595 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Počet prvků na čip

1

Breite

25.42mm

Länge

38.23mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

152 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

9.6mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.4V

Krajina pôvodu

United States

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET IXYS řady X2

Řada výkonových MOSFET třídy IXYS X2 nabízí ve srovnání s předchozími generacemi výkonových tranzistorů MOSFET výrazně nižší odpor a náboj hradel, což vede ke snížení ztrát a vyšší provozní efektivitě. Tato robustní zařízení jsou vybavena vnitřní diodou a jsou vhodná pro použití v režimu pevných spínačů i rezonančních režimů. Výkonové tranzistory MOSFET třídy X2 jsou k dispozici v řadě standardních balení, včetně izolovaných typů, s ratingem až 120 A při 650 V. Mezi typické aplikace patří měniče DC-DC, AC a DC motory, spínací a rezonanční napájecí zdroje, měniče DC, solární invertory, řízení teploty a osvětlení.

Velmi nízká úroveň RDS(on) a QG (nabíjení brány)
Vnitřní usměrňovací dioda
Nízký vnitřní odpor brány
Nízká indukčnost součástky
Balení podle průmyslových norem

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more