řada: HiperFET, PolarMOSFET IXTP50N20P N-kanálový 50 A 200 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
HiperFET, Polar
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
60 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5.5V
Maximální ztrátový výkon
360 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.66mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
70 nC při 10 V
Breite
4.83mm
Höhe
9.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™
Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
1
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
HiperFET, Polar
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
60 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5.5V
Maximální ztrátový výkon
360 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.66mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
70 nC při 10 V
Breite
4.83mm
Höhe
9.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™
Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products