IGBT IXXH80N65B4H1 N-kanálový 430 A 650 V, TO-247AD, počet kolíků: 3 5 → 30kHz 1 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSMaximální stejnosměrný proud kolektoru
430 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
650 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
625 W
Počet tranzistorů
1
Gehäusegröße
TO-247AD
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
5 → 30kHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.1 x 5.2 x 21.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
175 °C
Jmenovitá energie
5.2mJ
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 329,47
€ 10,982 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 329,47
€ 10,982 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSMaximální stejnosměrný proud kolektoru
430 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
650 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
625 W
Počet tranzistorů
1
Gehäusegröße
TO-247AD
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
5 → 30kHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.1 x 5.2 x 21.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
175 °C
Jmenovitá energie
5.2mJ
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products