Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSMaximální stejnosměrný proud kolektoru
164 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
1040 W
Gehäusegröße
PLUS 264
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
50kHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
20.29 x 5.31 x 26.59mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Krajina pôvodu
United States
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, řada IXYS
Řada xpt™ samostatných IGBT od IXYS je vybavena technologií tenkých oplatků Extrémně lehké Punch-Through, která snižuje tepelnou odolnost a snižuje energetické ztráty. Tato zařízení nabízejí rychlé přepínání při nízkém proudovém zatížení a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních a chráněných balících.
Vysoká hustota výkonu a nízká VCE(sat)
Bezpečnostní oblasti čtvercového zpětného chodu (RBSOA) až do jmenovitého havarijního napětí
Možnost zkratu pro 10USEC
Teplotní koeficient kladného napětí na stavu
Volitelné diody Sonic-FRD™ nebo HiPerFRED™ nabité spol
Mezinárodní standardní a proprietární vysokonapěťové balíky
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
€ 506,12
€ 20,245 Each (In a Tube of 25) (bez DPH)
25
€ 506,12
€ 20,245 Each (In a Tube of 25) (bez DPH)
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSMaximální stejnosměrný proud kolektoru
164 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
1040 W
Gehäusegröße
PLUS 264
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
50kHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
20.29 x 5.31 x 26.59mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Krajina pôvodu
United States
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, řada IXYS
Řada xpt™ samostatných IGBT od IXYS je vybavena technologií tenkých oplatků Extrémně lehké Punch-Through, která snižuje tepelnou odolnost a snižuje energetické ztráty. Tato zařízení nabízejí rychlé přepínání při nízkém proudovém zatížení a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních a chráněných balících.
Vysoká hustota výkonu a nízká VCE(sat)
Bezpečnostní oblasti čtvercového zpětného chodu (RBSOA) až do jmenovitého havarijního napětí
Možnost zkratu pro 10USEC
Teplotní koeficient kladného napětí na stavu
Volitelné diody Sonic-FRD™ nebo HiPerFRED™ nabité spol
Mezinárodní standardní a proprietární vysokonapěťové balíky
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.