Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSMaximální stejnosměrný proud kolektoru
152 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
830 W
Gehäusegröße
SOT-227B
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Počet kolíků
4
Rychlost spínání
20 → 50kHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
38.2 x 25 x 9.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
175 °C
Krajina pôvodu
United States
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, řada IXYS
Řada xpt™ samostatných IGBT od IXYS je vybavena technologií tenkých oplatků Extrémně lehké Punch-Through, která snižuje tepelnou odolnost a snižuje energetické ztráty. Tato zařízení nabízejí rychlé přepínání při nízkém proudovém zatížení a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních a chráněných balících.
Vysoká hustota výkonu a nízká VCE(sat)
Bezpečnostní oblasti čtvercového zpětného chodu (RBSOA) až do jmenovitého havarijního napětí
Možnost zkratu pro 10USEC
Teplotní koeficient kladného napětí na stavu
Volitelné diody Sonic-FRD™ nebo HiPerFRED™ nabité spol
Mezinárodní standardní a proprietární vysokonapěťové balíky
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
€ 336,73
€ 33,673 Each (In a Tube of 10) (bez DPH)
10
€ 336,73
€ 33,673 Each (In a Tube of 10) (bez DPH)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSMaximální stejnosměrný proud kolektoru
152 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
830 W
Gehäusegröße
SOT-227B
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Počet kolíků
4
Rychlost spínání
20 → 50kHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
38.2 x 25 x 9.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
175 °C
Krajina pôvodu
United States
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, řada IXYS
Řada xpt™ samostatných IGBT od IXYS je vybavena technologií tenkých oplatků Extrémně lehké Punch-Through, která snižuje tepelnou odolnost a snižuje energetické ztráty. Tato zařízení nabízejí rychlé přepínání při nízkém proudovém zatížení a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních a chráněných balících.
Vysoká hustota výkonu a nízká VCE(sat)
Bezpečnostní oblasti čtvercového zpětného chodu (RBSOA) až do jmenovitého havarijního napětí
Možnost zkratu pro 10USEC
Teplotní koeficient kladného napětí na stavu
Volitelné diody Sonic-FRD™ nebo HiPerFRED™ nabité spol
Mezinárodní standardní a proprietární vysokonapěťové balíky
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.