Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

IGBT IXYN100N120C3 N-kanálový 152 A 1200 V, SOT-227B, počet kolíků: 4 20 → 50kHz Jednoduchý

Skladové číslo RS: 168-4758Značka: IXYSČíslo dielu výrobcu: IXYN100N120C3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii IGBT

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

152 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

830 W

Gehäusegröße

SOT-227B

Montage-Typ

Surface Mount

Typ kanálu

N

Počet kolíků

4

Rychlost spínání

20 → 50kHz

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

38.2 x 25 x 9.6mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Betriebstemperatur max.

175 °C

Krajina pôvodu

United States

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, řada IXYS

Řada xpt™ samostatných IGBT od IXYS je vybavena technologií tenkých oplatků Extrémně lehké Punch-Through, která snižuje tepelnou odolnost a snižuje energetické ztráty. Tato zařízení nabízejí rychlé přepínání při nízkém proudovém zatížení a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních a chráněných balících.

Vysoká hustota výkonu a nízká VCE(sat)
Bezpečnostní oblasti čtvercového zpětného chodu (RBSOA) až do jmenovitého havarijního napětí
Možnost zkratu pro 10USEC
Teplotní koeficient kladného napětí na stavu
Volitelné diody Sonic-FRD™ nebo HiPerFRED™ nabité spol
Mezinárodní standardní a proprietární vysokonapěťové balíky

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 336,73

€ 33,673 Each (In a Tube of 10) (bez DPH)

IGBT IXYN100N120C3 N-kanálový 152 A 1200 V, SOT-227B, počet kolíků: 4 20 → 50kHz Jednoduchý

€ 336,73

€ 33,673 Each (In a Tube of 10) (bez DPH)

IGBT IXYN100N120C3 N-kanálový 152 A 1200 V, SOT-227B, počet kolíků: 4 20 → 50kHz Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

152 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

830 W

Gehäusegröße

SOT-227B

Montage-Typ

Surface Mount

Typ kanálu

N

Počet kolíků

4

Rychlost spínání

20 → 50kHz

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

38.2 x 25 x 9.6mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Betriebstemperatur max.

175 °C

Krajina pôvodu

United States

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, řada IXYS

Řada xpt™ samostatných IGBT od IXYS je vybavena technologií tenkých oplatků Extrémně lehké Punch-Through, která snižuje tepelnou odolnost a snižuje energetické ztráty. Tato zařízení nabízejí rychlé přepínání při nízkém proudovém zatížení a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních a chráněných balících.

Vysoká hustota výkonu a nízká VCE(sat)
Bezpečnostní oblasti čtvercového zpětného chodu (RBSOA) až do jmenovitého havarijního napětí
Možnost zkratu pro 10USEC
Teplotní koeficient kladného napětí na stavu
Volitelné diody Sonic-FRD™ nebo HiPerFRED™ nabité spol
Mezinárodní standardní a proprietární vysokonapěťové balíky

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more